在軍工芯片行業(yè)，芯片的可靠性和性能是至關(guān)重要的。為了確保芯片在及端環(huán)境下的穩(wěn)定性和耐久性，各國(guó)都制定了一系列嚴(yán)格的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。其中，美國(guó)的MIL-STD-883是全球范圍內(nèi)應(yīng)用zui廣泛的微電子器件測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)之一，而中國(guó)的guo軍標(biāo)（GJB）則在本土軍工領(lǐng)域具有quan威性。本文科準(zhǔn)測(cè)控小編將重點(diǎn)介紹GJB 548C-2021及其相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)在推拉力測(cè)試中的應(yīng)用，并結(jié)合科準(zhǔn)測(cè)控小編的專業(yè)視角，探討如何確保測(cè)試的準(zhǔn)確性和合規(guī)性。

一、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-883

MIL-STD-883是由美國(guó)國(guó)防部發(fā)布的《微電子器件試驗(yàn)方法和程序》標(biāo)準(zhǔn)，涵蓋了微電子器件的環(huán)境適應(yīng)性、可靠性測(cè)試、機(jī)械及電氣特性等要求。該標(biāo)準(zhǔn)在全球范圍內(nèi)被廣泛采用，是芯片測(cè)試領(lǐng)域zuijuquan威性的標(biāo)準(zhǔn)之一。

二、中國(guó)guo軍標(biāo)（GJB）相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)

在中g(shù)uo軍工領(lǐng)域，與MIL-STD-883對(duì)應(yīng)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)主要包括以下幾個(gè)重要規(guī)范：

1、GJB 597B-2012《半導(dǎo)體集成電路總規(guī)范》

對(duì)標(biāo)內(nèi)容：類似MIL-PRF-38535（集成電路性能規(guī)范）。

封裝要求：規(guī)定芯片封裝的氣密性、引線材料、耐環(huán)境性能等，補(bǔ)充了GJB 548C的測(cè)試框架。

2、GJB 2438A-2021《混合集成電路通用規(guī)范》

對(duì)標(biāo)內(nèi)容：類似MIL-PRF-38534（混合微電路通用規(guī)范）。

封裝要求：針對(duì)混合集成電路的多芯片封裝（MCM）、陶瓷封裝，提出鍵合工藝、密封性、熱循環(huán)等專項(xiàng)測(cè)試。

3、GJB 150A-2009《jun用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法》

對(duì)標(biāo)內(nèi)容：類似MIL-STD-810（環(huán)境工程考慮與實(shí)驗(yàn)室試驗(yàn)）。

封裝相關(guān)：振動(dòng)、沖擊、溫度循環(huán)等試驗(yàn)，用于驗(yàn)證封裝結(jié)構(gòu)在及端環(huán)境下的可靠性。

4、GJB 360B-2009《電子及電氣元件試驗(yàn)方法》

對(duì)標(biāo)內(nèi)容：類似MIL-STD-202（電子元件試驗(yàn)方法）。

封裝相關(guān)：引線疲勞、耐焊接熱等測(cè)試，適用于分立器件的封裝驗(yàn)證。

三、GJB 548C-2021的核心測(cè)試方法

GJB 548C-2021是芯片封裝領(lǐng)域與MIL-STD-883最直接對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)，覆蓋鍵合強(qiáng)度、環(huán)境試驗(yàn)、可靠性驗(yàn)證等核心測(cè)試項(xiàng)目。以下是與推拉力測(cè)試相關(guān)的部分方法：

1、方法2004.3 引線牢固性

用于測(cè)試引線在機(jī)械應(yīng)力下的牢固性，確保引線在振動(dòng)和沖擊環(huán)境下的可靠性。

2、方法2011.2 鍵合強(qiáng)度之引線拉力

通過拉力測(cè)試驗(yàn)證引線鍵合點(diǎn)的強(qiáng)度，確保鍵合點(diǎn)在及端條件下的穩(wěn)定性。

3、方法2019.3 芯片剪切強(qiáng)度

測(cè)試芯片與基板之間的粘接強(qiáng)度，確保芯片在高溫、低溫等環(huán)境下的可靠性。

4、方法2023.3 非破壞性鍵合拉力

通過非破壞性方式測(cè)試鍵合點(diǎn)的拉力，適用于高精度和高可靠性的芯片封裝。

5、方法2028 針陣列封裝的破壞性引線拉力

針對(duì)針陣列封裝的引線進(jìn)行破壞性拉力測(cè)試，驗(yàn)證引線在及端條件下的強(qiáng)度。

6、方法2029 陶瓷片式載體焊接強(qiáng)度（破壞性推力）

測(cè)試陶瓷片式載體焊接點(diǎn)的強(qiáng)度，確保焊接點(diǎn)在高溫和機(jī)械應(yīng)力下的穩(wěn)定性。

8、方法2038 焊柱陣列封裝的破壞性引線拉力

針對(duì)焊柱陣列封裝的引線進(jìn)行破壞性拉力測(cè)試，驗(yàn)證引線在及端條件下的強(qiáng)度。

四、其他相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)

1、MIL-STD-883E 微電路標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法

提供了詳細(xì)的微電路測(cè)試方法，涵蓋環(huán)境適應(yīng)性、機(jī)械性能和電氣特性。

2、JESD22-B117 高速剪向推球測(cè)試

用于測(cè)試芯片封裝的鍵合強(qiáng)度，特別是在高速剪切條件下的性能。

3、JESD22-B116 焊線剪切測(cè)試

用于驗(yàn)證焊線在機(jī)械應(yīng)力下的強(qiáng)度和可靠性。

五、總結(jié)

GJB 548C-2021作為中g(shù)uo軍工芯片封裝測(cè)試的核心標(biāo)準(zhǔn)，與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-883高度一致，涵蓋了鍵合強(qiáng)度、環(huán)境試驗(yàn)和可靠性驗(yàn)證等關(guān)鍵測(cè)試項(xiàng)目。結(jié)合GJB 597B、GJB 2438A等標(biāo)準(zhǔn)，可以構(gòu)建完整的軍工芯片封裝質(zhì)量控制體系。在實(shí)際應(yīng)用中，需重點(diǎn)關(guān)注國(guó)產(chǎn)化材料要求、數(shù)據(jù)追溯性及工藝控制等特殊條款，以確保合規(guī)性并提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力?？茰?zhǔn)測(cè)控小編建議，在執(zhí)行這些測(cè)試時(shí)，應(yīng)嚴(yán)格遵循標(biāo)準(zhǔn)要求，并結(jié)合實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行優(yōu)化，以確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。

以上就是小編介紹的有關(guān)于軍工芯片封裝測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)內(nèi)容了，希望可以給大家?guī)韼椭?！如果您還想了解更多關(guān)于電阻推力圖片、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)、測(cè)試方法和測(cè)試原理，推拉力測(cè)試機(jī)怎么使用視頻和圖解，使用步驟及注意事項(xiàng)、作業(yè)指導(dǎo)書，原理、怎么校準(zhǔn)和使用方法視頻，推拉力測(cè)試儀操作規(guī)范、使用方法和測(cè)試視頻 ，焊接強(qiáng)度測(cè)試儀使用方法和鍵合拉力測(cè)試儀等問題，歡迎您關(guān)注我們，也可以給我們私信和留言，【科準(zhǔn)測(cè)控】小編將持續(xù)為大家分享推拉力測(cè)試機(jī)在鋰電池電阻、晶圓、硅晶片、IC半導(dǎo)體、BGA元件焊點(diǎn)、ALMP封裝、微電子封裝、LED封裝、TO封裝等領(lǐng)域應(yīng)用中可能遇到的問題及解決方案。