在從事微電子封裝可靠性研究時，我們注意到：在含開放式空腔（open-cavity）的密封器件封裝中，向腔內(nèi)注入氫氣（H?），可以有效抑制金鋁（Au-Al）鍵合界面金屬間化合物（IMC）的過度生長，從而提升器件長期可靠性。這一機制看似與常規(guī)認(rèn)知相悖，但在此特定場景下，卻展現(xiàn)出作為界面穩(wěn)定性調(diào)控因子的潛力。今天就跟隨小編一起一探究竟。

一、金屬間化合物的形成與影響

在金鋁鍵合系統(tǒng)中，兩種金屬在常溫及后續(xù)服役溫度下會通過固態(tài)擴散發(fā)生反應(yīng)，形成一系列金屬間化合物（如AuAl?、Au?Al?、Au?Al等）。這些化合物的過度生長是界面老化的核心表現(xiàn)：

1.  機械性能劣化：IMC通常較脆，其增厚會導(dǎo)致鍵合點機械強度下降，抗疲勞能力減弱。

2.  電性能退化：IMC的電阻率普遍高于純金屬，其生長會引起連接電阻上升，影響信號完整性與功耗。

3.  誘發(fā)失效：由于金、鋁原子擴散速率的不匹配（柯肯達爾效應(yīng)），在界面處易形成微空洞，最終可能導(dǎo)致電學(xué)開路或熱機械失效。

二、氫氣的抑制機理

研究認(rèn)為，氫氣抑制IMC生長的機理可能在于其對鋁中點缺陷的相互作用：氫原子填充鋁晶格中的空位，從而阻礙了鋁原子通過空位擴散機制向金側(cè)的遷移。

在固態(tài)擴散中，原子往往借助晶格空位進行遷移。鋁原子向金中的擴散是形成IMC的必要步驟。理論推測，當(dāng)密封腔體內(nèi)充滿氫氣時，氫分子可能在鋁表面解離并吸附，部分氫原子（H）進入鋁的晶格間隙或占據(jù)空位。這相當(dāng)于減少了鋁原子擴散可用的載體（空位），顯著降低鋁的有效擴散系數(shù)，從而延緩IMC反應(yīng)前沿的推進速度。

三、嚴(yán)苛的工藝前提與應(yīng)用局限

盡管這一現(xiàn)象為可靠性提升提供了新思路，但其實際應(yīng)用受到嚴(yán)格限制：

1.  封裝形式局限：該技術(shù)僅適用于具備高氣密性金屬/陶瓷空腔的封裝結(jié)構(gòu)。這類封裝常見于對可靠性要求jigao的航天、航空、國防及部分MEMS傳感器領(lǐng)域。而占市場主導(dǎo)地位（超過95%）的塑封器件，因環(huán)氧模塑料對氣體（包括氫氣）具有滲透性，無法維持穩(wěn)定的內(nèi)部氣體環(huán)境，因此不適用此技術(shù)。

2.  密封性是根本前提：即使采用空腔封裝，也必須保證封裝在整個生命周期內(nèi)具有穩(wěn)定氣密性。任何微小的泄漏都不僅會導(dǎo)致氫氣逸出，使保護效應(yīng)失效，還可能引入水汽等有害物質(zhì)，引發(fā)更嚴(yán)重的腐蝕等問題。

四、結(jié)論與啟示：特定路徑的可靠性強化方案

向密封空腔內(nèi)注入氫氣以調(diào)控金鋁IMC生長，是一項針對特定封裝類型的精密可靠性增強技術(shù)。它揭示了通過控制封裝內(nèi)部氣相環(huán)境來干預(yù)固相界面反應(yīng)的可能性，為可靠性要求下的設(shè)計提供了備選方案。

然而，其應(yīng)用范圍窄、工藝門檻高等特點，決定了它無法成為通用解決方案。對于絕大多數(shù)塑封及非氣密封裝，仍需依靠優(yōu)化鍵合參數(shù)、引入擴散阻擋層（如Ni）、采用新型互連材料等主流技術(shù)路徑來確保界面長期穩(wěn)定。

作為深耕力學(xué)檢測領(lǐng)域多年的企業(yè)，科準(zhǔn)測控的產(chǎn)品能夠?qū)γ芊馄骷孤┞始皟?nèi)部氣氛進行精確定量分析，是驗證和實施此類氣相保護工藝的質(zhì)量控制工具。同時，掃描電子顯微鏡（SEM）、聚焦離子束（FIB）及透射電子顯微鏡（TEM）等一系列微觀分析平臺，可對IMC的形貌、物相、厚度及元素分布進行納米乃至原子尺度的縱深解析，為客戶深入理解界面反應(yīng)機理、評估工藝效果、最終提升產(chǎn)品可靠性，提供從宏觀性能到微觀本質(zhì)的全面數(shù)據(jù)支撐與洞察。